S3C6410，Tiny6410，Mini6410，MoblieDDR内存驱动

1. 概述S3C6410内存控制器是采用的PL340内存控制芯片。AMBA APB3.0接口协议规定，可以通过编程将AXI从总线接口和APB主总线接口进行桥接，实现二者总线上的数据的传输。 DRAM控制器可以通过配置兼容SDRAM类型芯片。通过向DRAM控制器中PL340写入内存芯片配置参数，内存时序，来控制内存工作。 DRAM控制器可以直接从SDRAM或DRAM接收一个控制命令。通过将操作命令写入direct_cmd寄存器，操作SDRAM进行对应操作。通过向memc_cmd寄存器写入状态模式命令，使DRAM控制器进入对应的工作模式。例如：向direct_cmd寄存器写入：Prechargeall’，‘Autorefresh’，‘NOP’，and ‘MRS’ 等命令，可以让SDRAM芯片分别执行不同操作，向memc_cmd寄存器写入一些状态命令可以让SDRAM芯片进入’Config’, ‘Ready’, and ‘Low_power’等工作模式。 DRAM控制器支持两种节能模式。当SDRAM处于不活动状态并且持续一定的时钟周期时，DRAM控制器会自动将SDRAM进入预充电节能模式或正常节能模式下以降低系统功耗。当驱动操作DRAM控制器进入对应的STOP（停止），Deep Stop（深度睡眠），Sleep Mode（睡眠）等模式时，SDRAM芯片进入自刷新的节能模式。l 支持SDR SDRAM，Mobile SDR SDRAM，DDR SDRAM和Mobile DDR SDRAM类型芯片l 支持两个内存芯片l 支持64位的AMBA AXI总线类型l 支持16位、64位内存总线n 存储器接口1：支持16位DDR SDRAM和Mobile DDR SDRAM类型芯片支持32位DDR SDRAM，Mobile DDR SDRAM，Mobile SDR SDRAM和SDR SDRAM类型芯片不支持16位Mobile SDR SDRAM和SDR SDRAM类型芯片l 地址空间：存储器接口1支持最多2Gb地址空间l 支持正常节能模式和预充电的节能模式l 数据传输低延迟特性l 外部存储器总线优化l 通过设置SFR寄存器支持选择外部存储器选型l 通过SFR寄存器配置存储器的时序l 支持扩展MRS指令集l 工作电压：存储器接口1: 1.8V，2.5V 2. SDRAM类型内存接口DRAM控制器支持最多两个相同类型的内存芯片，每个芯片最大容量256M。所有芯片共享相同引脚（时钟使能引脚和片选引脚除外），如表1-1所示给出了DRAM控制器的外部存储器引脚配置信息。 3. SDRAM初始化在系统上电后，必须通过软件配置SDRAM接入DRAM控制器并且初始化DRAM控制器，下面给出DDR、MOBILE DDR SDRAM的初始化流程。a）向mem_cmd寄存器写入0b10，使其进入NOP工作状态b）向mem_cmd寄存器写入0b00，使其进入Prechargeall（整片预充电）工作状态c）向mem_cmd寄存器写入0b11，使其进入Autorefresh（自刷新）工作状态d）再次向mem_cmd寄存器写入0b11，使其进入Autorefresh（自刷新）工作状态e）向mem_cmd寄存器写入0b10，使其进入MRS工作状态，并且地址空间内的EMRS必须置位f）再次向mem_cmd寄存器写入0b10，使其进入MRS工作状态，并且地址空间内的MRS必须置位 4. DRAM寄存器1） DRAM控制器状态寄存器（P1MEMSTAT）

P1MEMSTAT	位	描述	初始值
保留	[31:9]	-	-
芯片数量	[8:7]	内存控制器支持的芯片最大数量：01 = 2片6410只支持2片芯片，初始化为只读的01	01
芯片类型	[6:4]	内存控制器支持的芯片类型：100 = MSDR/SDR/MDDR/DDR中任一类型	100
芯片位宽	[3:2]	接入内存芯片的位宽：00 = 16位 01 = 32位10 = 保留 11 = 保留	01
控制器状态	[1:0]	DRAM控制器状态：00 = Config配置状态01 = Ready就绪状态10 = Pause暂停状态11 = Low-Power节能状态	00

实际上，读到的有用信息就是Controller Status和Memory width。 2） DRAM控制器命令寄存器（P1MEMCCMD）

P1MEMCCMD	位	描述	初始值
保留	[31:3]	未定义，写入0	-
Memc_cmd	[2:0]	设置内存控制器的工作状态：000 = Go001 = sleep010 = wakeup011 = Pause100 = Configure101~111 = 保留

最开始应该配置为0x4，是处于Configure状态。在配置完所有的DRAM之后，将该寄存器设置为0x0，处于运行状态。 3）直接命令寄存器（P1DIRECTCMD）

P1DIRECTCMD	位	描述	初始值
保留	[31:23]	未定义，写入0
扩展内存命令	[22]	（见下表）
芯片号	[21:20]	映射到外部存储芯片地址的位
命令	[19:18]	具体命令（见下表）
Bank地址	[17:16]	当以MRS或EMRS命令访问时，映射到外部存储器的Bank地址位
	[15:14]	未定义，写入0
地址线0~13	[13:0]	当以MRS或EMRS命令访问时，映射到外部存储器的内存地址位

用于发送命令到DRAM和访问DRAM中的MRS和EMRS寄存器。通过该寄存器初始化DRAM，先设置为NOP模式，然后设置为PrechargeAll进行充电，然后设置EMRS和MRS寄存器，一般是这么一个流程。具体的要参见你所使用的DRAM的datasheet。