Flash存储技术在过去的二十年里,
ROM和
EPROM一直是嵌入式系统的存储设备的首选。但是,今天越来越多的嵌入式系统设计者采用
Flash这种可读写的存储设备进行设计开发。
Flash主要分为
NOR和
NAND两类。
NOR和
NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于
1988年首先开发出
NOR Flash技术,彻底改变了原先由
EPROM和
EEPROM一统天下的局面。紧接着,
1989年,东芝公司发表了
NAND Flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NOR的特点是芯片内执行
(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在
Flash闪存中运行,而不必再把代码读到系统
RAM中。
NOR的传输效率很高,在
1~
4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。但应用
NAND的困难在于
Flash的管理需要特殊的系统接口。但是历经十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清
NOR和
NAND闪存。因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时
NOR闪存更适合一些。“
Flash存储器”便经常与“
NOR存储器”互换使用。但
NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。下面对二者作较为详细的比较:
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